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        “只有四核吗？”

        “以目前的工艺来说，只能做到四核，目前中芯国际正在研发更加先进的工艺制程，等到将工艺进一步改进到45纳米的时候，就能做到八核。”倪老说道：“这个难度很大，但是我们一定会解决的。”

        芯片的制程工艺都是用晶体管的栅极长度来命名的，现在最先进的65纳米工艺，就是这个栅极长度是65纳米，但是再接着向下，工艺越来越难，很多代工厂就在命名上开始放水，什么5纳米，3纳米的工艺，根本就做不出这么短的栅极来，只是听上去好听而已。

        不用说这种几纳米工艺，十几纳米都做不到，比如三行的14纳米工艺，栅极长度是30纳米，英特尔的14纳米，相当于24纳米等等。

        现在工艺的研发已经遇到了很多问题，从65纳米再降低到45纳米，已经不是那么容易的了。

        毕竟，硅原子核的直径，也不过只有0.25纳米，降低到45纳米，那就意味着一个晶体管的栅极只有18个硅原子核而已，继续降低下去，只剩下几个硅原子核，这东西是在无规则运动的，说不定就跑出去了。同时，因为距离更近，这意味着在里面运动的电子也容易跑出去，这就是漏电，会导致运算错误。

        可以说，这些东西已经在慢慢地到达极限。

        “其实，到了65纳米，我们就很难让栅极的介电质继续缩减变薄，继续发展下去，晶体管的尺寸要进一步缩小，源极和漏极也靠得更近了，如果不能解决栅极向下的漏电问题以及源极和漏极之间的漏电问题，那我们的45纳米工艺就将成为空中楼阁，我们也将丧失自己的优势。”倪老说道。

        随着晶体管工艺的不断提升，组成半导体的材料已经达到了它的物理电气特性的极限。首先承受不住的就是组成晶体管的栅极氧化物：栅极介电质。

        现有的工艺都是采用二氧化硅层作为栅极介电质，如果不能找到新的材料，就无法解决这个问题。

        其他的问题也很严重，当然了，秦涛听不懂，但是他知道，这个办法肯定是能解决的，因为后世的芯片工艺还在继续发展。

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